[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括布置在基板上的第一阻挡层和布置在第一阻挡层上的有源图案。有源图案包括源区、漏区以及布置在源区和漏区之间的沟道区。薄膜晶体管进一步包括布置在有源图案上的栅电极。沟道区与有源图案的被栅电极重叠的部分对应。薄膜晶体管附加地包括连接到源区的源电极和连接到漏区的漏电极。有源图案包括第一部分和第二部分。第一部分与第一阻挡层部分重叠，并且第一部分和第二部分具有彼此不同的厚度。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年11月4日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0147004号的优先权，通过引用将该申请的公开内容整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

在诸如液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备中，薄膜晶体管可被用作开关器件。薄膜晶体管中电流的转移或电流的泄漏可取决于沟道层的材料和状态，电荷载流子沿着沟道层移动。

当薄膜晶体管被包含在光被照射到显示面板的背面上的透明显示设备中时，沟道层的特性可由于照射到显示面板的背面上的光而被改变。因此，随着显示面板的亮度的增加，由于薄膜晶体管的截止电流水平的增加可产生泄漏电流。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，薄膜晶体管包括布置在基板上的第一阻挡层和布置在第一阻挡层上的有源图案。有源图案包括源区、漏区以及布置在源区和漏区之间的沟道区。薄膜晶体管进一步包括布置在有源图案上的栅电极。沟道区与有源图案的被栅电极重叠的部分对应。薄膜晶体管附加地包括连接到源区的源电极和连接到漏区的漏电极。有源图案包括第一部分和第二部分。第一部分与第一阻挡层部分重叠，并且第一部分和第二部分具有彼此不同的厚度。

在本发明的示例性实施例中，有源图案的第二部分与第一阻挡层不重叠。

在本发明的示例性实施例中，有源图案的第一部分的厚度小于有源图案的第二部分的厚度。

在本发明的示例性实施例中，漏区与第一阻挡层部分重叠。

在本发明的示例性实施例中，有源图案进一步包括布置在漏区和沟道区之间的漏-沟道接触部分。漏-沟道接触部分与第一阻挡层重叠。

在本发明的示例性实施例中，漏-沟道接触部分被第一阻挡层覆盖，以阻挡入射到基板的未布置有源图案的表面上的光。

在本发明的示例性实施例中，漏-沟道接触部分从沟道区与漏区彼此接触的位置部分地延伸到沟道区中。

在本发明的示例性实施例中，漏-沟道接触部分具有大约3.5μm或更大的宽度。

在本发明的示例性实施例中，薄膜晶体管进一步包括与漏区和沟道区部分重叠的第二阻挡层。第一阻挡层与源区和沟道区部分重叠。

在本发明的示例性实施例中，第一阻挡层和第二阻挡层被布置在同一层中。

在本发明的示例性实施例中，有源图案进一步包括布置在源区和沟道区之间的源-沟道接触部分以及布置在漏区和沟道区之间的漏-沟道接触部分。源-沟道接触部分与第一阻挡层重叠，并且漏-沟道接触部分与第二阻挡层重叠。

在本发明的示例性实施例中，源-沟道接触部分被第一阻挡层覆盖，以阻挡入射到基板的未布置有源图案的表面上的光，并且漏-沟道接触部分被第二阻挡层覆盖，以阻挡入射到基板的该表面上的光。

在本发明的示例性实施例中，源-沟道接触部分从沟道区与源区彼此接触的位置部分地延伸到沟道区中，并且漏-沟道接触部分从沟道区与漏区彼此接触的位置部分地延伸到沟道区中。

在本发明的示例性实施例中，源-沟道接触部分和漏-沟道接触部分中的每个具有大约3.5μm或更大的宽度。