[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711055286.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022978A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李骏熙;裵寅浚 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
布置在基板上的第一阻挡层；
布置在所述第一阻挡层上的有源图案，其中所述有源图案包括源区、漏区以及布置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；
布置在所述有源图案上的栅电极，其中所述沟道区与所述有源图案的被所述栅电极重叠的部分对应；以及
连接到所述源区的源电极和连接到所述漏区的漏电极，
其中所述有源图案包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分与所述第一阻挡层部分重叠，并且所述第一部分和所述第二部分具有彼此不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述有源图案的所述第二部分与所述第一阻挡层不重叠。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述有源图案的所述第一部分的厚度小于所述有源图案的所述第二部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述漏区与所述第一阻挡层部分重叠。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述有源图案进一步包括布置在所述漏区和所述沟道区之间的漏-沟道接触部分，
其中所述漏-沟道接触部分与所述第一阻挡层重叠。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述漏-沟道接触部分被所述第一阻挡层覆盖，以阻挡入射到所述基板的未布置所述有源图案的表面上的光。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述漏-沟道接触部分从所述沟道区与所述漏区彼此接触的位置部分地延伸到所述沟道区中。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述漏-沟道接触部分具有3.5μm或更大的宽度。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括与所述漏区和所述沟道区部分重叠的第二阻挡层，并且
其中所述第一阻挡层与所述源区和所述沟道区部分重叠。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述第一阻挡层和所述第二阻挡层被布置在同一层中。
11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述有源图案进一步包括布置在所述源区和所述沟道区之间的源-沟道接触部分以及布置在所述漏区和所述沟道区之间的漏-沟道接触部分，
其中所述源-沟道接触部分与所述第一阻挡层重叠，并且所述漏-沟道接触部分与所述第二阻挡层重叠。
12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其中所述源-沟道接触部分被所述第一阻挡层覆盖，以阻挡入射到所述基板的未布置所述有源图案的表面上的光，并且
其中所述漏-沟道接触部分被所述第二阻挡层覆盖，以阻挡入射到所述基板的所述表面上的光。
13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其中所述源-沟道接触部分从所述沟道区与所述源区彼此接触的位置部分地延伸到所述沟道区中，并且
其中所述漏-沟道接触部分从所述沟道区与所述漏区彼此接触的位置部分地延伸到所述沟道区中。
14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述源-沟道接触部分和所述漏-沟道接触部分中的每个具有3.5μm或更大的宽度。
15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一阻挡层与所述沟道区、所述源区和所述漏区重叠。
16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一阻挡层包括金属。
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