[发明专利]一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法有效
申请号: | 201711052745.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN107863451B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 邢磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法,OLED阳极的制备方法包括下述步骤:在基板上形成阳极膜层,阳极膜层的材料为ITO材料;在阳极膜层上形成光刻胶膜层;图形化光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域;对阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;去除光刻胶半保留区域;采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;去除所述光刻胶掩膜图案。本发明可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度,补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均,提高显示质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 阳极 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种OLED阳极的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在基板上形成阳极膜层,其中,所述阳极膜层的材料为ITO材料;在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层;图形化所述光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,所述光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域,其中,所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间;以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层,对所述阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;去除所述光刻胶半保留区域;采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,其中,所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;去除所述光刻胶掩膜图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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