[发明专利]一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711052745.2 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN107863451B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 邢磊 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 430000 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法,OLED阳极的制备方法包括下述步骤:在基板上形成阳极膜层,阳极膜层的材料为ITO材料;在阳极膜层上形成光刻胶膜层;图形化光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域;对阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;去除光刻胶半保留区域;采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;去除所述光刻胶掩膜图案。本发明可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度,补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均,提高显示质量。
搜索关键词: 一种 oled 阳极 制备 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种OLED阳极的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在基板上形成阳极膜层,其中,所述阳极膜层的材料为ITO材料;在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层;图形化所述光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,所述光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域,其中,所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间;以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层,对所述阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;去除所述光刻胶半保留区域;采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,其中,所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;去除所述光刻胶掩膜图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711052745.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top