[发明专利]一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法

权利要求书

1.一种OLED阳极的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在基板上形成阳极膜层，其中，所述阳极膜层的材料为ITO材料；

在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层；

图形化所述光刻胶膜层，得到光刻胶掩膜图案，所述光刻胶掩膜图案包括：光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间；

以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层，对所述阳极膜层进行刻蚀，得到阳极图案；

去除所述光刻胶半保留区域；

采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，其中，所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体；

去除所述光刻胶掩膜图案。

2.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，图形化所述光刻胶膜层，具体为：

采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。

3.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，在基板上形成阳极膜层，具体为：

通过磁控溅射或热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。

4.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，对所述阳极膜层进行刻蚀，具体为：

采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。

5.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，去除所述光刻胶半保留区域，具体为：

采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，去除所述光刻胶半保留区，其中，所述第二气体为SF₆和O₂的混合气体。

6.根据权利要求5所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，采用第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，具体为：

往等离子体刻蚀设备中送入所述第二气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第二气体进行电离，并利用电离的第二气体对所述光刻胶掩膜图案进行等离子体灰化处理，处理时间为30～50秒；

其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为6000～8000W，底部电极功率设为6000～8000W，腔室压力设为200～250mT，所述第二气体中的SF₆和O₂的气体流量范围分别为50～150sccm、5000～7000sccm。

7.根据权利要求1所述的OLED阳极的制备方法，其特征在于，采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，具体为：

往等离子体刻蚀设备中送入所述第一气体，利用所述等离子体刻蚀设备将所述第一气体进行电离，并利用电离的第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理，以增大所述阳极膜层上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分的功函数，处理的时间为1～3分钟；

其中，所述等离子体刻蚀设备的顶部电极功率设为1000～5000W，底部电极功率设为0W，腔室压力设为100～300mT，所述第一气体的流量为1000～5000sccm。

8.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在基板上形成TFT阵列层；

在所述基板上形成平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT阵列层；

在平坦层上形成过孔；

采用权利要求1～7任一项所述的OLED阳极的制备方法，在所述平坦层上制备阳极，所述阳极通过所述过孔与所述TFT阵列层电连接；

在所述阳极上形成像素界定层；

在所述像素界定层上形成有机发光层；

在所述有机发光层上形成阴极。