[发明专利]一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法有效
申请号: | 201711052745.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN107863451B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 邢磊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
地址: | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 阳极 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法,OLED阳极的制备方法包括下述步骤:在基板上形成阳极膜层,阳极膜层的材料为ITO材料;在阳极膜层上形成光刻胶膜层;图形化光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域;对阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;去除光刻胶半保留区域;采用第一气体对阳极图案上位于光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;去除所述光刻胶掩膜图案。本发明可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度,补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均,提高显示质量。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置是一种利用有机半导体材料在电流的驱动下产生的可逆变色现象来实现图形显示的设备。OLED显示装置具有超轻、超薄、高亮度、大视角、低电压、低功耗、快响应、高清晰度、抗震、可弯曲、低成本、工艺简单、使用原材料少、发光效率高和温度范围广等优点,因此OLED显示技术被认为是最有发展前途的新一代显示技术。
OLED显示装置的基本结构包括:阳极层、阴极层、以及夹在阳极层和阴极层之间的有机发光层。通常,有机发光层是经过蒸镀工艺蒸镀在阳极层上的。然而在进行蒸镀时,由于蒸发源的角度有上限,蒸镀后的有机发光层容易出现不均匀的情况。具体如图1所示,阳极层4’穿过平坦层3’与被平坦层3’覆盖的漏极2’点连接,在阳极层4’上的有机发光层6’的两端区域(也即图1所示的b’区域处)材料的厚度要小于中央区域(也即图1所示的a’区域处)的材料厚度,阳极层4’的下方为平坦层3’。这样就导致OLED在发光时容易出现如图2所示的发光单元四周发光不饱和、亮度低于发光单元中间区域的情况,从而导致OLED发光混色,影响显示效果。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种OLED阳极的制备方法及OLED显示装置的制备方法,可以提高有机发光层上厚度较小部分的亮度,补偿有机发光层的厚度差异造成的显示不均,提高显示质量。
本发明提供的一种OLED阳极的制备方法,包括下述步骤:
在基板上形成阳极膜层,其中,所述阳极膜层的材料为ITO材料;
在所述阳极膜层上形成光刻胶膜层;
图形化所述光刻胶膜层,得到光刻胶掩膜图案,所述光刻胶掩膜图案包括:光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域、光刻胶完全去除区域,其中,所述光刻胶半保留区域位于所述光刻胶完全保留区域与所述光刻胶完全去除区域之间;
以所述光刻胶掩膜图案作为抗刻蚀层,对所述阳极膜层进行刻蚀,得到阳极图案;
去除所述光刻胶半保留区域;
采用第一气体对所述阳极图案上位于所述光刻胶完全保留区域之外的部分进行等离子体处理,其中,所述第一气体包含O2、N2O、CF4、Ar中的至少一种气体;
去除所述光刻胶掩膜图案。
优选地,图形化所述光刻胶膜层,具体为:
采用半透掩膜板或者灰度掩膜板对所述光刻胶膜层进行曝光及显影处理。
优选地,在基板上形成阳极膜层,具体为:
通过磁控溅射或热蒸发工艺在所述基板上制备所述阳极膜层。
优选地,对所述阳极膜层进行刻蚀,具体为:
采用湿法刻蚀的方式对所述阳极膜层进行刻蚀。
优选地,去除所述光刻胶半保留区域,具体为:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择