[发明专利]封装结构及其形成方法有效

申请号：	201711050369.3	申请日：	2017-10-31
公开（公告）号：	CN108074828B	公开（公告）日：	2020-01-14
发明（设计）人：	施应庆;吴集锡;余振华;吴志伟;林俊成;王卜;卢思维	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L23/31;H01L25/065
代理公司：	11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	实施例是一种方法，该方法包括使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧，使用第二电连接件将第二管芯接合至中介片的第一侧，将第一伪管芯附接至邻近第二管芯的中介片的第一侧，用密封剂密封第一管芯、第二管芯和第一伪管芯，以及分割中介片和第一伪管芯以形成封装结构。本发明的实施例还提供了一种半导体结构。
搜索关键词：	管芯第二管中介电连接件封装结构半导体结构密封剂密封方法实施管芯接合接合附接邻近分割
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【主权项】：

1.一种方法，包括：/n使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧；/n使用第二电连接件将第二管芯接合至所述中介片的所述第一侧，所述第二管芯与所述第一管芯相邻；/n使用第三电连接件将第三管芯接合至所述中介片的所述第一侧，所述第三管芯与所述第一管芯相邻；/n将第一伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第二管芯的所述第一侧；/n将第二伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第三管芯的所述第一侧，所述第二伪管芯是与所述第一伪管芯物理分隔开的不同伪管芯，其中，所述第二伪管芯、所述第二管芯和所述第三管芯设置在所述第一伪管芯和所述第一管芯之间；/n用密封剂密封所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一伪管芯；以及/n分割所述中介片和所述第一伪管芯以形成封装结构。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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