[发明专利]封装结构及其形成方法

说明书

实施例是一种方法，该方法包括使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧，使用第二电连接件将第二管芯接合至中介片的第一侧，将第一伪管芯附接至邻近第二管芯的中介片的第一侧，用密封剂密封第一管芯、第二管芯和第一伪管芯，以及分割中介片和第一伪管芯以形成封装结构。本发明的实施例还提供了一种半导体结构。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及封装结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路(IC)的发展，由于各个电部件(即，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改进，半导体工业已经经历了快速增长。大多数情况下，这种集成密度的改进来自于最小特征尺寸的不断减小，这允许更多的部件集成到给定的区域。

这些集成的改进本质上是二维(2D)的，因为由集成的部件所占据的区域实质位于半导体晶圆的表面上。集成电路增大的密度和相应减小的面积通常超过将集成电路芯片直接接合至衬底的能力。中介片已经用于将球接触区从芯片的区域再分布至中介片的更大的区域。此外，中介片已经允许包括多个芯片的三维(3D)封装件。其它封装件也已经发展为包含3D方面。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：使用第一电连接件将第一管芯接合至中介片的第一侧；使用第二电连接件将第二管芯接合至所述中介片的所述第一侧；将第一伪管芯附接至所述中介片的邻近所述第二管芯的所述第一侧；用密封剂密封所述第一管芯、所述第二管芯和所述第一伪管芯；以及分割所述中介片和所述第一伪管芯以形成封装结构。

根据本发明的另一个方面，提供了一种方法，包括：在衬底中形成通孔；在所述衬底的第一侧上形成第一再分布结构，所述第一再分布结构电连接至所述通孔；使用第一电连接件将逻辑管芯接合至所述第一再分布结构，所述第一电连接件电连接至所述第一再分布结构；使用第二电连接件将存储器管芯的堆叠件接合至所述第一再分布结构，所述存储器管芯的堆叠件邻近于所述逻辑管芯，所述第二电连接件电连接至所述第一再分布结构；将伪管芯附接在邻近所述存储器管芯的堆叠件的划线区域中的所述第一再分布结构上方；以及分割所述衬底、所述第一再分布结构和所述伪管芯以形成封装结构。

根据本发明的又一个方面，提供了一种结构，包括：中介片的第一侧，接合至衬底；逻辑管芯和存储器堆叠件，接合至所述中介片的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对；伪管芯，附接至所述中介片的所述第二侧，所述伪管芯邻近于所述逻辑管芯或所述存储器堆叠件；以及模塑材料，沿着所述逻辑管芯的侧壁、所述存储器堆叠件的侧壁和所述伪管芯的侧壁延伸，所述逻辑管芯的顶面和所述伪管芯的顶面透过所述模塑材料暴露。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图14是根据一些实施例的形成封装结构的示例性工艺的截面图和平面图。

图15A至图15F示出了根据一些实施例的封装结构的平面图。

图16A至图16F示出了根据一些实施例的封装结构的平面图。

图17A至图17D示出了根据一些实施例的封装结构的平面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。