[发明专利]一种等离子体产生腔及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201711046497.0 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109727838B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 侯宁 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种等离子体产生腔及半导体加工设备。所述等离子产生腔包括：陶瓷筒以及环绕所述陶瓷筒并且与所述陶瓷筒之间形成流道的控温套筒，其特征在于，还包括：温度调节部件，其设置在所述陶瓷筒与所述控温套筒之间；通过向所述温度调节部件内通入介质，调节所述陶瓷筒的温度变化速率。本发明通过向温度调节部件内通入介质，保证了陶瓷筒周围温度环境没有骤变，调节立体线圈等离子体源陶瓷筒的温度变化速率，从而降低了温度变化对工艺均匀性的影响，并且能够对陶瓷筒周围温度进行实时调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 产生 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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