[发明专利]动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法

摘要

本发明提供了一种动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法，每个有源区呈“V”型。因此本发明中的动态随机存取存储器阵列若产生字线干扰时，泄漏的自由电子平的均自由行程在“V”型的有源区拐角处被终止，电子和空穴将被重组，由此降低甚至避免了漏电流，有助于提高器件的性能。

主权项

1.一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的多个有源区，隔离结构和多条字线；所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；每个所述有源区包括一沿着第一方向延伸的第一部分和一沿着第二方向延伸的第二部分，所述第一部分和所述第二部分的端点相互连接而使所述有源区呈“V”型；以及，在同一所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一部分和所述第二部分相交并穿越所述第一部分和所述第二部分。