[发明专利]动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的多个有源区，隔离结构和多条字线；

所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；

每个所述有源区包括一沿着第一方向延伸的第一部分和一沿着第二方向延伸的第二部分，所述第一部分和所述第二部分的端点相互连接而使所述有源区呈“V”型；以及，

在同一所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一部分和所述第二部分相交并穿越所述第一部分和所述第二部分。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，多个所述有源区呈阵列式排布，并且排布在同一列中的多个所述有源区相互对齐。

3.如权利要求2所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，每一列中的所有的所述有源区的“V”开口朝向均相同。

4.如权利要求2所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，相邻列中的所述有源区的“V”开口朝向不相同。

5.如权利要求1至4中任一项所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，所述有源区的“V”开口的夹角介于140°～170°。

6.一种动态随机存取存储器阵列，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中通过隔离结构定义有多个有源区，每一所述有源区包括一沿着第一方向延伸的第一部分和一沿着第二方向延伸的第二部分，所述第一部分和所述第二部分的端点相互连接而使所述有源区呈“V”型；以及，

多条字线，形成在所述半导体衬底中，在同一所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一部分和所述第二部分相交并穿越所述第一部分和所述第二部分。

7.如权利要求6所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，多个所述有源区呈阵列式排布，并且排布在同一列中的多个所述有源区相互对齐。

8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，每一列中的所有的所述有源区的“V”开口朝向均相同。

9.如权利要求7所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，相邻列中的所述有源区的“V”开口朝向不相同。

10.如权利要求6至9中任一项所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述有源区的“V”开口的夹角介于140°～170°。

11.一种动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底；

形成隔离结构在所述半导体衬底中以定义出多个有源区，每一所述有源区包括一沿着第一方向延伸的第一部分和一沿着第二方向延伸的第二部分，所述第一部分和所述第二部分的端点相互连接而使所述有源区呈“V”型；以及，

形成多条字线在所述半导体衬底中，在同一所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一部分和所述第二部分相交并穿越所述第一部分和所述第二部分。

12.如权利要求11所述的动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，形成隔离结构在所述半导体衬底中以定义出多个有源区的步骤包括：

通过光刻刻蚀工艺在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽围绕出多个呈阵列式排布的“V”型结构；

在所述沟槽中填充隔离材料，以形成所述隔离结构；以及

对所述多个“V”型结构进行掺杂，以形成所述多个有源区。

13.如权利要求12所述的动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，每一列中的所有的所述“V”型结构的“V”开口朝向均相同。

14.如权利要求12所述的动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，相邻列中的所述“V”型结构的“V”开口朝向不相同。

15.如权利要求11至14中任一项所述的动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，所述有源区的“V”开口的夹角介于140°～170°。