[发明专利]半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201711039381.4 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108630702A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 木下繁 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式提供可靠性较高的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：层叠体，沿第一方向交替地层叠有电极膜以及绝缘膜；半导体部件，在上述第一方向上延伸；以及电荷蓄积部件，设于上述半导体部件与上述电极膜之间。上述电极膜具有：第一导电层，设于上述绝缘膜的上表面上以及上述绝缘膜的下表面上；以及第二导电层，在上述电极膜的第一部分，设于上述第一导电层间，该第二导电层由与上述第一导电层不同的材料形成。上述第一部分中的上述第一导电层的厚度，比上述第一部分与上述半导体部件之间配置的上述电极膜的第二部分中的上述第一导电层的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电层 电极膜 半导体存储装置 半导体部件 绝缘膜 第二导电层 材料形成 电荷蓄积 方法实施 交替地层 层叠体 配置的 上表面 下表面 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其中，具备：层叠体，沿第一方向交替地层叠有电极膜以及绝缘膜；半导体部件，在上述第一方向上延伸；以及电荷蓄积部件，设于上述半导体部件与上述电极膜之间，上述电极膜具有：第一导电层，设于上述绝缘膜的上表面上以及上述绝缘膜的下表面上；以及第二导电层，在上述电极膜的第一部分，设于上述第一导电层间，该第二导电层由与上述第一导电层不同的材料形成，上述第一部分中的上述第一导电层的厚度，比上述第一部分与上述半导体部件之间配置的上述电极膜的第二部分中的上述第一导电层的厚度薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
