[发明专利]基于电阻式随机存取存储器的认证电路在审
| 申请号： | 201711033999.X | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122579A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 池育德;吕士濂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06F21/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及基于电阻式随机存取存储器的认证电路。本发明实施例涉及一种存储装置，所述存储器装置包含：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个存储器单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一存储器单元处于低电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将逻辑状态选派给所述第一位的所述第一存储器单元且使用所述第一位的所述第一存储器单元的所述逻辑状态来产生物理不可复制功能PUF签名。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 认证电路 个位 电阻式随机存取存储器 逻辑状态 耦合到 物理不可复制功能 存储器阵列 存储器装置 低电阻状态 存储装置 可变电阻 配置 电路 认证 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个存储器单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一存储器单元处于低电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将逻辑状态选派给所述第一位的所述第一存储器单元且使用所述第一位的所述第一存储器单元的所述逻辑状态来产生物理不可复制功能PUF签名。
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