[发明专利]基于电阻式随机存取存储器的认证电路

说明书

本发明实施例涉及基于电阻式随机存取存储器的认证电路。本发明实施例涉及一种存储装置，所述存储器装置包含：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个存储器单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一存储器单元处于低电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将逻辑状态选派给所述第一位的所述第一存储器单元且使用所述第一位的所述第一存储器单元的所述逻辑状态来产生物理不可复制功能PUF签名。

技术领域

本发明实施例涉及基于电阻式随机存取存储器的认证电路。

背景技术

随着集成电路越来越多用于提供各种不同应用的不同类型的信息的电子装置中，越来越多地需要充分保护可存储于电子装置内的敏感及/或重要信息以使此信息的存取仅限于具有所述信息存取权限的其它装置。应用的一些实例包含认证装置、保护装置内的机密信息及使两个或多于两个装置之间的通信保密。

物理不可复制功能(PUF)为一般位于集成电路内的实体结构，所述集成电路响应于到PUF的输入(例如查问/请求)而提供数个对应输出(例如响应)。各PUF提供一或多组请求-响应对。集成电路的识别码可由PUF提供的这些请求-响应对建立。随着识别码的建立，可在装置之间提供保密通信。PUF也可用于既有认证目的以替换将识别码指派给电子装置的当前方法。由于PUF是基于工艺的固有性质，所以PUF具有相较于习知认证方法(其将识别码记录于更容易被模仿及/或逆向设计的装置上)的各种优点。

发明内容

根据本发明的实施例，一种存储器装置包括：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个存储器单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一存储器单元处于低电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将逻辑状态选派给所述第一位的所述第一存储器单元且使用所述第一位的所述第一存储器单元的所述逻辑状态来产生物理不可复制功能(PUF)签名。

根据本发明的实施例，一种存储器装置包括：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个电阻式随机存取存储器(RRAM)单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一RRAM单元处于低电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将逻辑状态选派给所述第一位的所述第一RRAM单元且使用所述第一位的所述第一RRAM单元的所述逻辑状态来产生物理不可复制功能(PUF)签名。

根据本发明的实施例，一种存储器装置包括：存储器阵列，其包括多个位，其中各位包括各具有可变电阻的两个存储器单元；形成电路，其耦合到所述多个位且经配置以引起第一位的第一存储器单元及第二存储器单元分别转变成低电阻状态及保持处于高电阻状态；及认证电路，其耦合到所述多个位，所述认证电路经配置以将第一逻辑状态及第二逻辑状态分别选派给所述第一位的所述第一存储器单元及所述第二存储器单元且使用所述第一位的所述第一逻辑状态或所述第二逻辑状态来产生物理不可复制功能(PUF)签名。

附图说明

从结合附图来阅读的[具体实施方式]最佳理解本揭露的方面。应注意，各种构件未必按比例绘制。事实上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1绘示根据一些实施例的包含电阻式随机存取存储器(RRAM)阵列的存储器装置的例示性框图。

图2A绘示根据一些实施例的图1的RRAM阵列中的RRAM单元的例示性混合布局。

图2B绘示根据一些实施例的图2A的RRAM单元的例示性操作。

图3A绘示根据一些实施例的图1的RRAM阵列中的位及形成电路的部分的例示性混合布局。

图3B绘示根据一些实施例的图3A的位及图1的形成电路的另一部分的例示性混合布局。