[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

摘要

非易失性存储器(NVM)单元半导体线，该半导体线包括选择栅极部分和控制栅极部分。NVM单元包括在选择栅极部分处形成的选择晶体管以及在控制栅极部分处形成的控制晶体管。选择晶体管包括设置在选择栅极部分周围的栅极介电层以及设置在栅极介电层上的选择栅电极。控制晶体管包括设置在控制栅极部分周围的堆叠的介电层、设置在堆叠的介电层上的栅极介电层以及设置在栅极介电层上的控制栅电极。堆叠的介电层包括设置在控制栅极部分上的第一氧化硅层、设置在第一氧化硅层上的电荷捕获层以及设置在电荷捕获层上的第二氧化硅层。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

主权项

1.一种形成包括非易失性存储器(NVM)单元的半导体器件的方法，所述方法包括：在设置在衬底上的绝缘层上方形成半导体线，所述半导体线包括选择栅极部分和控制栅极部分；在所述半导体线的所述控制栅极部分周围形成堆叠的介电层；在所述半导体线的所述选择栅极部分周围以及在所述半导体线的所述控制栅极部分周围形成的所述堆叠的介电层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成包括伪选择栅极层的伪选择栅极结构并且在所述栅极介电层上形成包括伪控制栅极层的伪控制栅极结构；以及分别用金属选择栅极层和金属控制栅极层替换所述伪选择栅极层和所述伪控制栅极层。