[发明专利]一种高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711013289.0 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107658346A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吴家健;沈怡东;潘蔡军;朱倩;欧阳潇 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/49;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市苏通科技产*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件，包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片；二极管扩散圆片的两面均设有镍膜；两层镍膜的外侧面与两金属片的内侧面设焊料层；正面金属片上设有应力吸收槽路，应力吸收槽路上设有沟槽，沟槽上设有聚酰亚胺钝化层。本发明还公开了一种高结温雪崩二极管芯片组件的制造方法，采用聚酰亚胺作为钝化层，避免玻璃钝化固有的高温漏电大，膨胀应力大等缺陷，提升了二极管结温；而且减少所有光刻，节约了成本，同时避免了光刻不良引入的缺陷，带来了极大的经济效益；本发明引入晶圆极的内引线金属电极片，减少了台面工艺带来的翘曲、碎片，提高浪涌能力，提高成品率，并方便后续封装工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高结温 雪崩 二极管 芯片 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高结温雪崩二极管芯片组件，包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片；所述二极管扩散圆片的两面均设有镍膜；所述两层镍膜的外侧面与正面金属片、背面金属片的内侧面设有焊料层；所述正面金属片上设有应力吸收槽路，应力吸收槽路上设有沟槽，沟槽上设PN结聚酰亚胺钝化层。
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