[发明专利]一种高结温雪崩二极管芯片组件及其制造方法

权利要求书

1.一种高结温雪崩二极管芯片组件，包括正面金属片、二极管扩散圆片和背面金属片；所述二极管扩散圆片的两面均设有镍膜；所述两层镍膜的外侧面与正面金属片、背面金属片的内侧面设有焊料层；所述正面金属片上设有应力吸收槽路，应力吸收槽路上设有沟槽，沟槽上设PN结聚酰亚胺钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种高结温雪崩二极管芯片组件，其特征在于：所述正面金属片和背面金属片的厚度为125μm～500μm，其尺寸与二极管扩散圆片一致。

3.根据权利要求1所述的一种高结温雪崩二极管芯片组件，其特征在于：所述正面金属片和背面金属片为晶圆级的内引线金属电极片。

4.一种高结温雪崩二极管芯片组件的制造方法，包括以下步骤：

（1）取（P⁺-N-N⁺）的二极管扩散圆片作基片，厚度为150μm～350μm；

（2）用化学镀、真空蒸镀或溅射的方法，将二极管扩散圆片的正反面镀上镍膜，厚度为0.5μm～1μm，镀镍膜后圆片的厚度为151μm～352μm；

（3）使用真空烧结或回流焊的方法，在焊料层用焊料【Pb（90%～97%）、Sn（3%～7.5%）、Ag（0%～2.5%）】把镀有镍膜的二极管扩散圆片分别与正面金属片、背面金属片的内侧面焊接在一起形成圆形片，焊料厚度为20μm～60μm，圆形片总厚度为441μm～1472μm；

（4）在正面金属片上沿着应力吸收槽路用宽刀切割到深度242.55μm～809.6μm形成沟槽；

（5）用碱液对沟槽内的侧壁和底部进行腐蚀、冲洗、烘干；

（6）在沟槽的侧壁和底部涂聚酰亚胺并固化，形成PN结聚酰亚胺钝化层；

（7）用窄刀划切分离芯片组件。