[发明专利]一种ESD钳位电路及集成电路有效

专利信息
申请号: 201711008522.6 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN107863339B 公开(公告)日: 2020-01-21
发明(设计)人: 蔡小五;罗家俊;刘海南;陆江;曾传滨;卜建辉;赵海涛 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 11302 北京华沛德权律师事务所 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种ESD钳位电路及集成电路,该钳位电路包括:电容、电阻、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管;其中,第二N型晶体管的源极与第三N型晶体管的漏极连接,第二N型晶体管的漏极与电源之间连接有电容,第二N型晶体管的栅极与第二N型晶体管的漏极连接;第三N型晶体管的源极接地,第三N型晶体管的栅极与第三N型晶体管的漏极连接。本发明提供的电路,用以解决现有技术中用于静电保护的钳位电路存在的占用版图面积过大的技术问题。实现了减小版图面积的技术效果。
搜索关键词: 一种 esd 电路 集成电路
【主权项】:
1.一种ESD钳位电路,其特征在于,包括:/n电容、电阻、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管;/n其中,所述第一P型晶体管的源极接电源,所述第一P型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的栅极连接,所述第一P型晶体管的栅极接地;所述第二P型晶体管的源极接电源,所述第二P型晶体管的漏极与所述第一N型晶体管的栅极连接;所述第三P型晶体管的源极接电源,所述第三P型晶体管的漏极与第六N型晶体管的漏极连接,所述第三P型晶体管的栅极与第六N型晶体管的栅极连接;所述第一N型晶体管的源极接地,所述第一N型晶体管的漏极接电源;所述第二N型晶体管的源极与所述第三N型晶体管的漏极连接,所述第二N型晶体管的漏极与电源之间连接有所述电容,所述第二N型晶体管的栅极与所述第二N型晶体管的漏极连接;所述第三N型晶体管的源极接地,所述第三N型晶体管的栅极与所述第三N型晶体管的漏极连接;所述第四N型晶体管是源极接地,所述第四N型晶体管的漏极与所述第一P型晶体管的漏极连接,所述第四N型晶体管的栅极与所述第二N型晶体管的漏极连接;所述第五N型晶体管的源极接地,所述第五N型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的漏极连接,所述第五N型晶体管的栅极与所述第二P型晶体管的栅极连接;所述第六N型晶体管的源极接地,所述第六N型晶体管的漏极与所述第三P型晶体管的漏极连接;所述电阻连接在地与所述第二P型晶体管的漏极之间。/n
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