[发明专利]一种ESD钳位电路及集成电路有效
申请号: | 201711008522.6 | 申请日: | 2017-10-25 |
公开(公告)号: | CN107863339B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 蔡小五;罗家俊;刘海南;陆江;曾传滨;卜建辉;赵海涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 11302 北京华沛德权律师事务所 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种ESD钳位电路及集成电路,该钳位电路包括:电容、电阻、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管;其中,第二N型晶体管的源极与第三N型晶体管的漏极连接,第二N型晶体管的漏极与电源之间连接有电容,第二N型晶体管的栅极与第二N型晶体管的漏极连接;第三N型晶体管的源极接地,第三N型晶体管的栅极与第三N型晶体管的漏极连接。本发明提供的电路,用以解决现有技术中用于静电保护的钳位电路存在的占用版图面积过大的技术问题。实现了减小版图面积的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 esd 电路 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种ESD钳位电路,其特征在于,包括:/n电容、电阻、第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一N型晶体管、第二N型晶体管、第三N型晶体管、第四N型晶体管、第五N型晶体管和第六N型晶体管;/n其中,所述第一P型晶体管的源极接电源,所述第一P型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的栅极连接,所述第一P型晶体管的栅极接地;所述第二P型晶体管的源极接电源,所述第二P型晶体管的漏极与所述第一N型晶体管的栅极连接;所述第三P型晶体管的源极接电源,所述第三P型晶体管的漏极与第六N型晶体管的漏极连接,所述第三P型晶体管的栅极与第六N型晶体管的栅极连接;所述第一N型晶体管的源极接地,所述第一N型晶体管的漏极接电源;所述第二N型晶体管的源极与所述第三N型晶体管的漏极连接,所述第二N型晶体管的漏极与电源之间连接有所述电容,所述第二N型晶体管的栅极与所述第二N型晶体管的漏极连接;所述第三N型晶体管的源极接地,所述第三N型晶体管的栅极与所述第三N型晶体管的漏极连接;所述第四N型晶体管是源极接地,所述第四N型晶体管的漏极与所述第一P型晶体管的漏极连接,所述第四N型晶体管的栅极与所述第二N型晶体管的漏极连接;所述第五N型晶体管的源极接地,所述第五N型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的漏极连接,所述第五N型晶体管的栅极与所述第二P型晶体管的栅极连接;所述第六N型晶体管的源极接地,所述第六N型晶体管的漏极与所述第三P型晶体管的漏极连接;所述电阻连接在地与所述第二P型晶体管的漏极之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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