[发明专利]气相生长装置、环状支架以及气相生长方法有效
| 申请号： | 201711006295.3 | 申请日： | 2017-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN107978552B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 家近泰;津久井雅之;石川幸孝 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。实施方式的气相生长装置具备：反应室；环状支架，其为设置于反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部、和具有与外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，其设置于环状支架的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 环状 支架 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种气相生长装置，其具备：反应室；环状支架，该环状支架是设置于所述反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部和具有与所述外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，所述基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，该加热器设置于所述环状支架的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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