[发明专利]气相生长装置、环状支架以及气相生长方法

说明书

本发明涉及气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。实施方式的气相生长装置具备：反应室；环状支架，其为设置于反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部、和具有与外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，其设置于环状支架的下方。

技术领域

本发明涉及通过供给气体来进行成膜的气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。

背景技术

作为形成高品质的半导体膜的方法，有在晶片等基板上通过气相生长来使单晶膜生长的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将晶片载置于被保持在常压或减压的反应室内的支承部上。

然后，将该晶片进行加热，同时从反应室上部将作为成膜原料的源气体等工艺气体供给至反应室内的晶片表面。在晶片表面产生源气体的热反应，在晶片表面形成外延单晶膜。

在晶片表面形成的外延单晶膜的特性依赖于晶片的温度。因此，希望实现高的晶片面内的温度均匀性。

日本专利公开公报2015-195259号中记载了在载置晶片的接受器中设置有被配置于正六边形顶点的基板支承部的气相生长装置。

发明内容

本发明提供一种可提高基板温度的均匀性的气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。

本发明的一个方案的气相生长装置具备：反应室；环状支架，该环状支架是设置于所述反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部、和具有与所述外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，所述基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，该加热器设置于所述环状支架的下方。

本发明的一个方案的环状支架包含：环状的外周部、和具有与所述外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，所述基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面。

本发明的一个方案的气相生长方法包括以下步骤：

将硅基板载置于环状支架上，其中，所述环状支架包含：环状的外周部、和具有与所述外周部的上表面相比设置于下方的基板载置面的环状的内周部，所述基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面，以使表面为{111}面的所述硅基板的1-10方向与将对置的所述凸区域连接的方向或者将对置的所述凹区域连接的方向一致的方式将所述硅基板载置于所述环状支架上，

使用设置于所述环状支架的下方的加热器对所述硅基板进行加热，

在所述硅基板上形成膜。

附图说明

图1是第1实施方式的气相生长装置的示意剖视图。

图2是第1实施方式的环状支架的示意图。

图3A、图3B是第1实施方式的环状支架的示意图。

图4是第1实施方式的气相生长方法的说明图。

图5是第1实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。

图6A、图6B是第1实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。

图7是第1实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。

图8A、图8B是第2实施方式的环状支架的示意图。

图9是第2实施方式的气相生长装置的作用及效果的说明图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

在本说明书中，对相同或者类似的部件会有附加相同符号的情况。