[发明专利]具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710976639.7 | 申请日： | 2017-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN107742604B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 王光红;王文静;赵雷;莫丽玢;刁宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法。以二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶为靶材，单晶硅作为衬底，纯度99.99％以上的高纯氩气(Ar)作为溅射气体，溅射过程中通入氢气(H2)作为掺杂源沉积，得到不同磁化特征的氢铪共掺杂氧化铟薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 室温 铁磁性 氢铪共 掺杂 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述制备方法采用二氧化铪(HfO2)掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶，Ar气为溅射气体，溅射过程中通入H2作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H2掺杂量，获得不同磁化特征的IHFO薄膜；具体步骤如下：步骤1、清洗单晶硅衬底把单晶硅衬底放入去离子水中，加入含烷基苯磺酸钠的洗涤灵，80℃水浴1h以上；待降温到低于40℃，超声15min以上，然后用去离子水冲洗至没有泡沫，倒入适量酒精，超声15min以上，再用去离子水冲洗5次以上，加入适量去离子水，再超声15min以上；步骤2、制备薄膜将经清洗的单晶硅衬底装入磁控溅射装置中，采用HfO2掺杂量为1.5～10wt.％的In2O3陶瓷靶；当腔室真空度达到10‑3Pa时，打开加热装置对衬底加热，加热温度范围160℃～500℃，保温至少30min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710976639.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
