[发明专利]具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述制备方法采用二氧化铪(HfO₂)掺杂量为1.5～10wt.％的In₂O₃陶瓷靶，Ar气为溅射气体，溅射过程中通入H₂作为掺杂源，通过调控溅射功率密度、衬底温度、沉积气压、H₂掺杂量，获得不同磁化特征的IHFO薄膜；具体步骤如下：

步骤1、清洗单晶硅衬底

把单晶硅衬底放入去离子水中，加入含烷基苯磺酸钠的洗涤灵，80℃水浴1h以上；待降温到低于40℃，超声15min以上，然后用去离子水冲洗至没有泡沫，倒入适量酒精，超声15min以上，再用去离子水冲洗5次以上，加入适量去离子水，再超声15min以上；

步骤2、制备薄膜

将经清洗的单晶硅衬底装入磁控溅射装置中，采用HfO₂掺杂量为1.5～10wt.％的In₂O₃陶瓷靶；当腔室真空度达到10^-3Pa时，打开加热装置对衬底加热，加热温度范围160℃～500℃，保温至少30min。

2.根据权利要求1所述的具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述的溅射方法为直流磁控溅射。

3.根据权利要求1所述的具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述的溅射功率密度为1.5～5W/cm²。

4.根据权利要求1所述的具有室温铁磁性氢铪共掺杂氧化铟薄膜的制备方法，其特征是：所述的Ar气分压为0.4～1.9Pa，氢气分压为2.5×10^-2～0.125Pa。