[发明专利]面向近阈值低电压的时序监测单元及监测系统

摘要

本发明公开了面向近阈值低电压的时序监测单元及监测系统，涉及基于片上时序检测的自适应频率调节技术，属于集成电路低功耗设计的技术领域。本发明提供的监测单元以较低的电路成本实现了面向近阈值电压的时监测，通过搭建包含频率控制状态机、锁相环、快速时钟调节模块的监测系统实现系统频率的自适应调节，解决了面向常规电压设计的时序监测电路难以正确工作在近阈值区域以及少有的能面向近阈值电压区工作的时序监测单元面积大且成本高的技术问题。

主权项

面向近阈值低电压的时序监测单元，其特征在于，包括：第一PMOS管（M1）、第二PMOS管（M4）、第一NMOS管（M2）、第二NMOS管（M3）、反相器（INV1）、与非门（NAND2），所述第一PMOS管（M1）的源端接电源，第一PMOS管（M1）的栅端与第一NMOS管（M2）的栅端并接后接在关键路径的末端，第一NMOS管（M2）的源端接地，第一PMOS管（M1）的漏端、第二NMOS管（M3）的漏端、第二PMOS管（M4）的源端并接在一起，第二NMOS管（M3）的源端、第二PMOS管（M4）的漏端、第一NMOS管（M2）的漏端并接在一起，第二NMOS管（M3）的栅端接时钟信号，第二PMOS管（M4）的栅端接与时钟信号相非的信号，反相器（INV1）的输入端接第一PMOS管（M1）的漏端，与非门（NAND2）的一个输入端接反相器（INV1）的输出端，与非门（NAND2）的另一个输入端接第一NMOS管（M2）的漏端，与非门（NAND2）在时钟信号低相位时监测关键路径的时序并在关键路径时序紧张时输出预警信号。