[发明专利]一种OLED器件及其制作方法有效
| 申请号: | 201710972251.X | 申请日: | 2017-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN107863457B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
| 发明(设计)人: | 任泓扬;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种OLED器件及其制作方法,其中,制作方法包括:步骤S1,在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第一阴极;步骤S2,在第一阴极上采用光刻形成对应发光层各个子像素、用于调节微腔效应的有机材料层;步骤S3,在所述有机材料层上蒸镀第二阴极。本发明在两层阴极之间采用对OLED材料没有影响的光刻工艺加入导电有机材料层,通过调整该层膜厚来增强微腔效应,该光刻工艺与制作CF和阳极的光刻工艺不同,不需要精细金属掩模版,从而节省了OLED制程工艺的时间和成本,增加了制作效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种OLED器件的制作方法,其特征在于,包括:步骤S1,在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第一阴极;步骤S2,在第一阴极上采用光刻形成对应发光层各个子像素、用于调节微腔效应的有机材料层;步骤S3,在所述有机材料层上蒸镀第二阴极;其中,所述步骤S2具体包括:步骤S21,在第一阴极上涂布一层可兼容有机材料的负性光刻胶;步骤S22,在对应发光层子像素的位置设置光掩膜版,利用所述光掩膜版对所述负性光刻胶进行曝光、显影;步骤S23,在所述负性光刻胶被显影液洗去的位置以及剩余的负性光刻胶上蒸镀一层用于调节微腔效应的有机材料层;步骤S24,剥离所述剩余的负性光刻胶及其上的有机材料层,获得对应所述发光层子像素的有机材料层;步骤S25,重复所述步骤S21‑S24直至获得对应发光层各个子像素的有机材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710972251.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





