[发明专利]一种OLED器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710972251.X 申请日: 2017-10-18
公开(公告)号: CN107863457B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 任泓扬;徐湘伦 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 oled 器件 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种OLED器件的制作方法,其特征在于,包括:

步骤S1,在阳极上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及第一阴极;

步骤S2,在第一阴极上采用光刻形成对应发光层各个子像素、用于调节微腔效应的有机材料层;

步骤S3,在所述有机材料层上蒸镀第二阴极;

其中,所述步骤S2具体包括:

步骤S21,在第一阴极上涂布一层可兼容有机材料的负性光刻胶;

步骤S22,在对应发光层子像素的位置设置光掩膜版,利用所述光掩膜版对所述负性光刻胶进行曝光、显影;

步骤S23,在所述负性光刻胶被显影液洗去的位置以及剩余的负性光刻胶上蒸镀一层用于调节微腔效应的有机材料层;

步骤S24,剥离所述剩余的负性光刻胶及其上的有机材料层,获得对应所述发光层子像素的有机材料层;

步骤S25,重复所述步骤S21-S24直至获得对应发光层各个子像素的有机材料层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述负性光刻胶含有氟元素取代的碳链结构。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述负性光刻胶具有光敏组分,所述光敏组分含有卤素溶剂、光致产酸剂化合物、包含至少一个含氟基团的单体与包含至少一个可酸解含酯基团的单体的共聚物。

4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述卤素溶剂为氢化氟醚或分离的氢化氟醚,所述共聚物为无规共聚物。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710972251.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top