[发明专利]一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板

摘要

本发明公开了一种SiO₂薄膜的沉积方法以及基板，本发明技术方案中，衬底表面依次沉积的SiO₂薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。本发明技术方案提高了SiO₂薄膜的质量。

主权项

1.一种SiO₂薄膜的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括：提供一衬底；对所述衬底进行清洗；在干燥后的所述衬底表面沉积SiO₂薄膜，通过调节反应参数以及分段沉积，使得所述SiO₂薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。