[发明专利]一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板

说明书

本发明公开了一种SiO₂薄膜的沉积方法以及基板，本发明技术方案中，衬底表面依次沉积的SiO₂薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。本发明技术方案提高了SiO₂薄膜的质量。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体的说，涉及一种SiO₂薄膜的沉积方法以及基板。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积法，PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVaporDeposition)技术是利用辉光放电，在高频电场下使稀薄气体电离产生等离子体，这些离子在电场中被加速而获得能量，可在较低温度下实现SiO₂薄膜的生长。PECVD沉积SiO₂薄膜技术广泛用于半导体材料、发光二极管、集成电路制造工艺中，SiO₂薄膜采用N₂O与N₂稀释的SiH₄气体生长。现有技术中，制备的SiO₂薄膜的质量较差。

发明内容

为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种SiO₂薄膜的沉积方法以及基板，提高了SiO₂薄膜的质量。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种SiO₂薄膜的沉积方法，所述沉积方法包括：

提供一衬底；

对所述衬底进行清洗；

在干燥后的所述衬底表面沉积SiO₂薄膜，所述SiO₂薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；

其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。

优选的，在上述沉积方法中，所述对所述衬底进行清洗包括：

依次采用丙酮溶液和IPA溶液对所述衬底进行超声清洗，并通过N₂进行旋干处理。

优选的，在上述沉积方法中，所述在干燥后的所述衬底表面沉积SiO₂薄膜包括：

通过PECVD设备沉积所述周期性结构，射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-25℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N₂O/SiH₄流量比为 20-40。

优选的，在上述沉积方法中，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段；

根据时间顺序，前一工艺时段的沉积速率的变化趋势与后一工艺时段的沉积速率的变化趋势相同，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续渐变的SiO₂层，且每层SiO₂层的折射率连续渐变。