[发明专利]一种SiO2薄膜的沉积方法以及基板

权利要求书

1.一种SiO₂薄膜的沉积方法，其特征在于，所述沉积方法包括：

提供一衬底；

对所述衬底进行清洗；

在干燥后的所述衬底表面沉积SiO₂薄膜，通过调节反应参数以及分段沉积，使得所述SiO₂薄膜包括多个在第一方向上依次层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；

其中，通过预设的反应参数，使得在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。

2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述对所述衬底进行清洗包括：

依次采用丙酮溶液和IPA溶液对所述衬底进行超声清洗，并通过N₂进行旋干处理。

3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述在干燥后的所述衬底表面沉积SiO₂薄膜包括：

通过PECVD设备沉积所述周期性结构，射频功率为50W-200W，所述衬底的温度为200℃-250℃，反应腔内压强为20Pa-100Pa，N₂O/SiH₄流量比为20-40。

4.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，每个所述周期结构的沉积时间段分为三个工艺时段；

根据时间顺序，前一工艺时段的沉积速率的变化趋势与后一工艺时段的沉积速率的变化趋势相同，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续渐变的SiO₂层，且每层SiO₂层的折射率连续渐变。

5.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率小于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续降低的SiO₂层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率小于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO₂层的折射率连续降低。

6.根据权利要求4所述的沉积方法，其特征在于，根据时间顺序，前一个工艺时段的沉积速率大于后一时段的沉积速率，以使得每个所述周期结构具有三层折射率连续增大的SiO₂层，同一个工艺时段内前一时刻的沉积速率大于后一时刻的沉积速率，以使得同一层SiO₂层的折射率连续增大。

7.一种基板，其特征在于，所述基板包括：

衬底；

设置在所述衬底表面的SiO₂薄膜，通过调节反应参数以及分段沉积，使得所述SiO₂薄膜包括多个在第一方向上层叠的周期结构，所述周期结构包括多层在所述第一方向上依次层叠的SiO₂层；

其中，在所述第一方向上，同一所述周期结构中多层所述SiO₂层的折射率连续渐变，每层所述SiO₂层的折射率连续渐变；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述SiO₂层。

8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐增大，同一层SiO₂层的折射率逐渐增大。

9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，在所述第一方向上，多个所述周期结构的折射率逐渐减小，同一层SiO₂层的折射率逐渐减小。

10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述SiO₂层的厚度范围为10nm-500nm，包括端点值。