[发明专利]一种压阻式MEMS传感器制作方法有效
| 申请号： | 201710961716.1 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107934910B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 喻磊;何凯旋;郭群英;王新龙;张胜兵 | 申请（专利权）人： | 北方电子研究院安徽有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种压阻式MEMS传感器制作方法，包括以下步骤：取P型单晶硅作为衬底，对衬底顶面各向异性腐蚀形成MEMS传感器所需的空腔；取第一SOI硅片，将第一SOI硅片的顶层硅与衬底顶面硅硅键合；去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；双面热氧化，形成上、下介质隔离层；在第一SOI硅片的顶层硅制作传感器敏感结构的主梁；取第二SOI硅片，将第二SOI硅片的顶层硅与上介质隔离层硅硅键合；去除第二SOI硅片的衬底硅与埋氧层；在第二SOI硅片的顶层硅制作传感器的压敏电阻区，形成压阻式MEMS传感器的敏感结构；本发明采用两片SOI硅片分别制作敏感结构的主梁与敏感梁，通过介质隔离层实现压敏电阻与衬底的介质隔离，避免了传统PN结隔离的缺陷，提高了传感器的耐高温性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压阻式 mems 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种压阻式MEMS传感器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取P型单晶硅作为衬底，采用湿法腐蚀对衬底顶面进行各向异性腐蚀，形成MEMS传感器所需的空腔；S2、取第一SOI硅片，将第一SOI硅片的顶层硅与衬底顶面硅硅键合；S3、去除第一SOI硅片的衬底硅与埋氧层；S4、双面热氧化，使第一SOI硅片的顶层硅顶面形成上介质隔离层、衬底底面形成下介质隔离层；S5、采用光刻与ICP深硅刻蚀工艺，在第一SOI硅片的顶层硅制作MEMS传感器敏感结构的主梁；S6、取第二SOI硅片，将第二SOI硅片的顶层硅与上介质隔离层硅硅键合；S7、去除第二SOI硅片的衬底硅与埋氧层；S8、采用光刻与ICP深硅刻蚀工艺，在第二SOI硅片的顶层硅制作MEMS传感器的压敏电阻区，形成压阻式MEMS传感器的敏感结构。
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