[发明专利]MTP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MTP器件，包括：作为选择管、存储管和字线管的第一至三NMOS管都形成于P阱中，位于中间的第二NMOS管的多晶硅栅为多晶硅浮栅，多晶硅浮栅的第一延伸端形成编程耦合结构，第二延伸端形成擦除结构；多晶硅浮栅的第二延伸端跨越由第一N阱组成的第一有源区；擦除结构还包括第一P+区和第一N+区，两注入区在沿和多晶硅浮栅的第二延伸端平行的方向上相互交叠于第一有源区，交叠区大小根据第一N+区和第一有源区的套刻精度确定，保证在套刻偏差最大的条件下能实现有效擦除的交叠结构。本发明还公开了一种MTP器件的制造方法。本发明能提高器件的擦除效率，防止MTP擦除失败以及由此而带来的测试失效的问题。

主权项

一种MTP器件，其特征在于，包括：由第一NMOS管组成的选择管，由第二NMOS管组成的存储管，由第三NMOS管组成的字线管；所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管都形成于P阱中，所述第一NMOS管的多晶硅栅连接栅选择信号，所述第二NMOS管的多晶硅栅为多晶硅浮栅，所述第三NMOS的多晶硅栅连接字线；所述多晶硅浮栅位于所述第一NMOS管的多晶硅栅和所述第三NMOS的多晶硅栅的中间，所述第二NMOS管位于所述第一NMOS管和所述第三NMOS管的中间；所述多晶硅浮栅沿所述第二NMOS管的沟道的宽度方向延伸到所述第二NMOS管的两侧，所述多晶硅浮栅的第一延伸端在所述第二NMOS管的第一侧形成编程耦合结构，所述多晶硅浮栅的第二延伸端在所述第二NMOS管的第二侧形成擦除结构；所述擦除结构形成于第一N阱中，所述多晶硅浮栅的第二延伸端跨越由所述第一N阱组成的第一有源区；所述擦除结构还包括第一P+区和第一N+区，所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区在沿和所述多晶硅浮栅的第二延伸端垂直的方向上跨越所述多晶硅浮栅；所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区在沿和所述多晶硅浮栅的第二延伸端平行的方向上相互交叠；所述第一P+区的注入区和所述第一N+区的注入区的交叠区的大小根据所述第一N+区的注入区和所述第一有源区的套刻精度确定，保证在所述第一N+区的注入区和所述第一有源区的套刻偏差最大的条件下，注入后形成的所述第一N+区依然会和所述第一有源区形成能实现有效擦除的交叠结构。