[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法在审
| 申请号： | 201710947609.3 | 申请日： | 2017-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109658968A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 金完东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据本发明构思的实施例涉及一种操作非易失性存储器装置的方法。所述方法包括：对第一虚设存储器单元执行第一编程操作；使用验证电压对第一虚设存储器单元执行验证操作；确定第一阈值电压是否比验证电压高；在确定第一阈值电压比验证电压高的情况下对第一虚设存储器单元执行第二编程操作以将第一虚设存储器单元的阈值电压从第一阈值电压降低。 | ||
| 搜索关键词： | 虚设存储器单元 阈值电压 验证电压 非易失性存储器装置 编程操作 发明构思 验证 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括多个单元串，每个单元串包括沿着与基底的其上设置有单元串的表面垂直的方向堆叠的至少一个串选择晶体管、多个存储器单元、至少一个虚设存储器单元以及至少一个地选择晶体管，所述方法包括：对所述多个单元串中的第一虚设存储器单元执行第一编程操作，在第一编程操作后，第一虚设存储器单元具有第一阈值电压；使用验证电压对第一虚设存储器单元执行验证操作，验证电压是第一虚设存储器单元在第一编程操作后的目标阈值电压的上限；确定第一阈值电压是否高于验证电压；在确定第一阈值电压高于验证电压的情况下，对第一虚设存储器单元执行第二编程操作以将第一虚设存储器单元的阈值电压从第一阈值电压降低，在第二编程操作后，第一虚设存储器单元具有第二阈值电压，其中，第二阈值电压低于第一阈值电压。
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