[发明专利]半导体存储器件和包括半导体存储器件的存储系统有效
| 申请号： | 201410426038.5 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104835525B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 崔殷硕;吴政锡 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括：存储器单元阵列，其包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元和第二多个虚设存储器单元；第一多个正常字线，其与第一多个正常存储器单元电耦接；以及第二多个虚设字线，其与第二多个虚设存储器单元电耦接，其中，第一多个正常存储器单元包括至少一个坏的存储器单元，并且至少一个坏的存储器单元中的每个被第二多个虚设存储器单元之中的虚设存储器单元代替。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 虚设存储器单元 半导体存储器件 电耦 存储器单元阵列 层叠配置 存储系统 虚设字线 正常字线 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，其包括沿着行方向和列方向布置的多个单元串，其中所述单元串包括在衬底之上层叠配置的第一多个正常存储器单元、第二多个虚设存储器单元、漏极选择晶体管和源极选择晶体管；第一多个正常字线，其与所述第一多个正常存储器单元电耦接；以及第二多个虚设字线，其与所述第二多个虚设存储器单元电耦接，其中，所述第二多个虚设存储器单元包括：第二多个漏极虚设存储器单元，其经由所述漏极选择晶体管与位线电耦接；以及第二多个源极虚设存储器单元，其经由所述源极选择晶体管与公共源极线电耦接，其中，所述第一多个正常存储器单元电耦接在所述漏极虚设存储器单元和所述源极虚设存储器单元之间，以及其中，所述单元串之中的第一单元串中所包括的且与第一正常字线耦接的第一坏的存储器单元被所述第一单元串中所包括的且与第一虚设字线耦接的第一虚设存储器单元代替，并且所述第一单元串中所包括的且与第二正常字线耦接的第二坏的存储器单元被第二单元串中所包括的且与所述第一虚设字线耦接的第二虚设存储器单元代替。
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