[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710929682.8 | 申请日： | 2017-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109638025B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 林杰;袁华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括：提供P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底内形成第一P型掺杂区，且第一P型掺杂区的掺杂浓度高于P型掺杂半导体衬底的掺杂浓度，形成复位晶体管，位于第一P型掺杂区；还包括制备光电二极管的步骤，其中第二P型掺杂区、N型掺杂区在半导体衬底的表面上的投影全部位于第三P型掺杂区在所述表面上的投影内。通过以上设计可有效抑制光电子的泄露，降低CIS芯片的像素暗电流，从而改善CIS像素缺陷，提高CIS芯片质量。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：提供P型掺杂半导体衬底；在所述P型掺杂半导体衬底内形成第一P型掺杂区，且所述第一P型掺杂区的掺杂浓度高于所述P型掺杂半导体衬底的掺杂浓度；形成复位晶体管，位于所述第一P型掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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