[发明专利]一种阵列基板、掩膜板及阵列基板制作方法在审
申请号: | 201710892062.1 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107731853A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 刘兴华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板,包括基板、设在所述基板上的薄膜晶体管层以及设于所述薄膜晶体管层上方的平坦层;所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧表面形成有凸点。通过设置凸点,通过平坦层表面的凸点形成漫反射层,可以弱化反光现象和降低背光需求。本发明还提供一种掩膜板以及利用该掩膜板来制备所述阵列基板的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 掩膜板 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括基板、设在所述基板上的薄膜晶体管层以及设于所述薄膜晶体管层上方的平坦层;所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧表面形成有凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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