[发明专利]一种准单晶电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种准单晶电池的制备方法，包括如下步骤：将准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中第一混合液包括氢氟酸与双氧水；向第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将准单晶硅片在中性混合液中清洗第二预设时间，其中第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；将预清洗后的准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间；将经酸洗后的准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；将干法黑硅处理后的准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到准单晶电池。本发明制备得到的准单晶电池，绒面陷光效果较好，电池转换效率较高，提高了电池质量。

主权项

1.一种准单晶电池的制备方法，用于基于一准单晶硅片制备所述准单晶电池，其特征在于，所述方法包括：湿法黑硅制绒：将所述准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中所述第一混合液包括氢氟酸与双氧水；预清洗：向所述第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将所述准单晶硅片在所述中性混合液中清洗第二预设时间，其中所述第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；酸洗：将预清洗后的所述准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间，其中所述第三混合液包括氢氟酸以及盐酸；干法黑硅处理：将经酸洗后的所述准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；其中，进行化学反应刻蚀的步骤包括：将酸洗后得到的所述准单晶硅片，在SF₆的气体氛围中进行反应以得到SiF₄气体；所述SiF₄气体与所述准单晶硅片之间发生钝化反应得到第一钝化产物后，所述第一钝化产物沉积至所述准单晶硅片内；进行物理离子轰击处理的步骤包括：利用直流脉冲偏压作用下的高能离子，撞击所述准单晶硅片内的所述第一钝化产物以形成第一绒面；准单晶电池制备：将干法黑硅处理后的所述准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到所述准单晶电池。