[发明专利]一种准单晶电池的制备方法

权利要求书

1.一种准单晶电池的制备方法，用于基于一准单晶硅片制备所述准单晶电池，其特征在于，所述方法包括：

湿法黑硅制绒：将所述准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中所述第一混合液包括氢氟酸与双氧水；

预清洗：向所述第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将所述准单晶硅片在所述中性混合液中清洗第二预设时间，其中所述第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；

酸洗：将预清洗后的所述准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间，其中所述第三混合液包括氢氟酸以及盐酸；

干法黑硅处理：将经酸洗后的所述准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；

其中，进行化学反应刻蚀的步骤包括：将酸洗后得到的所述准单晶硅片，在SF₆的气体氛围中进行反应以得到SiF₄气体；所述SiF₄气体与所述准单晶硅片之间发生钝化反应得到第一钝化产物后，所述第一钝化产物沉积至所述准单晶硅片内；

进行物理离子轰击处理的步骤包括：

利用直流脉冲偏压作用下的高能离子，撞击所述准单晶硅片内的所述第一钝化产物以形成第一绒面；

准单晶电池制备：将干法黑硅处理后的所述准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到所述准单晶电池。

2.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，在所述将干法黑硅处理后的所述准单晶硅片进行硼扩散的步骤之后，所述方法还包括：

对经所述硼扩散处理之后的所述准单晶硅片进行单面刻蚀；

在HF气体氛围中去除所述准单晶硅片表面上的硼硅玻璃，并通过聚乙烯薄膜对所述准单晶硅片进行覆膜。

3.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，在将所述准单晶硅片进行磷扩散的步骤之后，所述方法还包括：

在HF气体氛围中去除所述准单晶硅片表面上的磷硅玻璃。

4.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，对所述准单晶硅片进行镀膜的步骤包括：

在所述准单晶硅片的正面镀上一层氧化铝膜之后，在所述准单晶硅片的正反面分别镀上一层SiN膜。

5.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，在对所述准单晶硅片进行印刷电极处理之后，所述方法还包括：

在温度为200～300℃，电流为16～18A的环境下对所述准单晶电池的表面进行缺陷钝化处理。

6.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，在对所述准单晶硅片进行所述湿法黑硅制绒的步骤之前，所述方法还包括：

将所述准单晶硅片在6～8℃的预制酸洗液中浸泡2min，所述预制酸洗液包括体积比为1：6的氢氟酸与硝酸。

7.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，所述第一预设温度的温度范围为25℃～30℃，所述第一预设时间为5～6min。

8.根据权利要求1所述的准单晶电池的制备方法，其特征在于，所述第二预设时间为1～3min，所述第二预设温度为20℃，所述第三预设时间为1min。