[发明专利]阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法有效
| 申请号： | 201710880656.0 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107958685B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朴起德 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 阻变存储装置可以包括存储单元阵列和选择性写入电路。存储单元阵列可以包括耦接在多个字线与多个位线之间的多个阻变存储单元。基于针对写入操作所提供的输入数据的逻辑电平，选择性写入电路可以确定是否对计划要执行下一写入操作的存储单元执行预读取/比较操作。选择性写入电路可以根据预读取/比较操作的确定结果来控制存储单元阵列的写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 选择性 写入 电路 操作方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储装置，包括：存储单元阵列，其包括耦接在多个字线与多个位线之间的多个阻变存储单元；以及选择性写入电路，其被配置成基于针对写入操作所提供的输入数据的逻辑电平，确定是否对计划要执行下一写入操作的存储单元执行预读取/比较操作，选择性写入电路根据预读取/比较操作的确定结果来控制存储单元阵列的写入操作。
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