[发明专利]阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法

说明书

阻变存储装置可以包括存储单元阵列和选择性写入电路。存储单元阵列可以包括耦接在多个字线与多个位线之间的多个阻变存储单元。基于针对写入操作所提供的输入数据的逻辑电平，选择性写入电路可以确定是否对计划要执行下一写入操作的存储单元执行预读取/比较操作。选择性写入电路可以根据预读取/比较操作的确定结果来控制存储单元阵列的写入操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0133319号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各个实施例总体而言可以涉及半导体装置，且更具体而言涉及阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法。

背景技术

阻变存储装置可以是存储装置，该存储装置通过改变设置在一对电极之间的数据储存材料层的电阻状态来将数据储存在数据储存材料层中。阻变存储装置利用由电压或电流导致的数据储存材料层的电阻改变。

阻变存储装置的示例可以包括相变随机存取存储器(PRAM)。PRAM的单位存储单元可以包含访问元件和由相变材料制成的数据储存材料层。当预设电压被施加到字线以将数据写入(编程)到PRAM中以及写入脉冲被施加到位线时，数据储存材料层的电阻状态可以从低电阻状态变为高电阻状态，或反之亦然。例如，数据储存材料层的相可以从晶态变为非晶态，或反之亦然。

阻变存储装置的写入操作所需要的电流量可能是决定阻变存储装置的操作性能和效率的重要因素。

因此，重要的是使写入操作所需的电流量最小化。

发明内容

在本公开的一个实施例中，阻变存储装置可以包括存储单元阵列和选择性写入电路。存储单元阵列可以包括耦接在多个字线与多个位线之间的多个阻变存储单元。选择性写入电路可以基于针对写入操作所提供的输入数据的逻辑电平，确定是否对计划要执行下一写入操作的存储单元执行预读取/比较操作。选择性写入电路可以根据预读取/比较操作的确定结果来控制存储单元阵列的写入操作。

在本公开的一个实施例中，选择性写入电路可以包括预读取控制电路、读取电路、比较电路和写入电路。预读取控制电路可以基于输入数据的逻辑电平和读取命令产生读取使能信号。读取电路可以响应于读取使能信号，读取储存在计划要执行下一写入操作的存储单元中的数据以及输出读取数据。比较电路可以根据读取数据与输入数据的比较结果产生写入控制信号。写入电路可以响应于写入控制信号来操作。

在本公开的一个实施例中，公开了一种阻变存储装置的操作方法，所述阻变存储装置包括存储电路和被配置成将数据写入存储电路中的选择性写入电路，所述方法可以包括：基于输入数据的逻辑电平和读取命令，经由选择性写入电路产生读取使能信号。所述方法可以包括：当读取使能信号被使能时，通过读取储存在计划要执行下一写入操作的存储单元中的数据来输出读取数据。所述方法可以包括：根据读取数据与输入数据的比较结果，产生写入控制信号。所述方法可以包括：响应于写入控制信号，控制写入操作。

下面在标题为“具体实施方式”的节段描述这些和其它特征、方面和实施例。

附图说明

从结合附图进行的以下详细描述可以更加清楚地理解本公开主题的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出根据本公开的一个实施例的阻变存储装置的示例的图；

图2是示出根据本公开的一个实施例的预读取控制电路的示例的图；

图3至图5是示出根据本公开的实施例的存储单元的示例性配置的图；

图6是示出根据本公开的一个实施例的存储单元阵列的示例性配置的图；以及

图7至图11是示出根据本公开的实施例的电子装置的示例的图。

具体实施方式