[发明专利]阻变存储装置及其选择性写入电路和操作方法

权利要求书

1.一种阻变存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括耦接在多个字线与多个位线之间的多个阻变存储单元；以及

选择性写入电路，其被配置成：基于针对写入操作所提供的输入数据的逻辑电平，确定是否对计划要执行下一写入操作的存储单元执行预读取/比较操作，选择性写入电路根据预读取/比较操作的确定结果来控制存储单元阵列的写入操作，

其中，预读取/比较操作包括读取储存在计划要执行下一写入操作的存储单元中的数据和比较之前储存的数据与输入数据的操作。

2.根据权利要求1所述的阻变存储装置，其中，当输入数据的逻辑电平是需要阻变存储装置在写入输入数据时使用较大量电荷的逻辑电平时，选择性写入电路基于预读取/比较操作的结果执行写入操作，而当输入数据的逻辑电平是需要阻变存储装置在写入输入数据时使用较小量电荷的逻辑电平时，选择性写入电路在不执行预读取/比较操作的情况下执行写入操作。

3.根据权利要求1所述的阻变存储装置，其中，当输入数据是由存储单元的低电阻状态所表示的数据时，选择性写入电路基于预读取/比较操作的结果执行写入操作，而当输入数据是由存储单元的高电阻状态所表示的数据时，选择性写入电路在不执行预读取/比较操作的情况下执行写入操作。

4.根据权利要求1所述的阻变存储装置，其中，当预读取/比较操作的结果是存储单元中之前储存的数据的逻辑电平等于输入数据的逻辑电平时，选择性写入电路省略写入操作。

5.根据权利要求1所述的阻变存储装置，其中，当预读取/比较操作的结果是存储单元中之前储存的数据的逻辑电平与输入数据的逻辑电平不同时，选择性写入电路执行写入操作。

6.一种选择性写入电路，包括：

预读取控制电路，其被配置成基于输入数据的逻辑电平和读取命令产生读取使能信号；

读取电路，其被配置成响应于读取使能信号，读取储存在计划要执行下一写入操作的存储单元中的数据以及输出读取数据；

比较电路，其被配置成根据读取数据与输入数据的比较结果产生写入控制信号；以及

写入电路，其被配置成响应于写入控制信号来操作。

7.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，预读取控制电路包括：

确定电路，其被配置成通过确定输入数据的逻辑电平来产生确定信号；以及

控制信号发生电路，其被配置成当读取命令被使能且确定信号处在预设的电平时禁止读取使能信号，并且当读取命令被禁止时禁止读取使能信号。

8.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，预读取控制电路包括：

确定电路，其被配置成通过确定输入数据的逻辑电平来产生确定信号；以及

控制信号发生电路，其被配置成当在读取命令被使能的状态下确定信号不处在预设的电平时使能读取使能信号。

9.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，当读取命令被使能且读取使能信号被禁止时，比较电路使能写入控制信号。

10.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，当写入控制信号被使能时，写入电路产生与输入数据的逻辑电平相对应的写入脉冲。

11.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，当写入控制信号被禁止时，写入电路不操作。

12.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，当输入数据处在第一电平时，预读取控制电路使能读取使能信号。

13.根据权利要求12所述的选择性写入电路，其中，第一电平是由低电阻状态所表示的逻辑电平。

14.根据权利要求6所述的选择性写入电路，其中，当输入数据处在第二电平时，预读取控制电路禁止读取使能信号。