[发明专利]一种光电晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710879994.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107887486A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张武安;丁东民;周盛;吴刚;蔡鹏飞 | 申请（专利权）人： | 华润半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种光电晶体管包括衬底；衬底上依次形成的第一导电类型的第一外延层至第N外延层；第N外延层上形成的基区；基区上形成的发射区；基区上形成的金属化的基极；发射区上形成的金属化的发射极；衬底背面形成的金属化的集电极；及覆盖发射区和基区并露出发射极和基极的钝化层；其中，第N外延层的掺杂浓度大于第N‑1外延层的掺杂浓度，N为正整数且N≥2。本发明还公开一种光电晶体管的制作方法。本发明的光电晶体管及其制作方法，通过在衬底上形成具有不同电阻率的外延层，实现了提高光电晶体管的光电转换效率的同时而又不显著增加其输出低电平。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种光电晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面；所述衬底第一表面上依次形成的第一导电类型的第一外延层至第N外延层；所述第N外延层上形成的第二导电类型的基区；所述基区上形成的第一导电类型的发射区；在所述基区上形成的金属化的基极；在所述发射区上形成的金属化的发射极；在所述衬底第二表面上形成的金属化的集电极；及覆盖所述发射区和所述基区并露出所述发射极和所述基极的钝化层；其中，第N外延层的掺杂浓度大于第N‑1外延层的掺杂浓度，N为正整数且N≥2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华润半导体（深圳）有限公司，未经华润半导体（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710879994.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
