[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 201710879056.2 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107818917A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 周诗健;王海勇 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括以下步骤(1)提供待切割晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；(2)在待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；(3)对待切割晶圆的正面进行一半切割制程；在该已接合晶圆相对于该正面的背面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的背面进行切割制程，以切割出复数个晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供待切割晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；(2)在待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；(3)对待切割晶圆的正面进行一半切割制程；在该已接合晶圆相对于该正面的的背面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的背面进行切割制程，以切割出复数个晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥新汇成微电子有限公司，未经合肥新汇成微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710879056.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
