[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种半导体晶圆的切割方法。

背景技术

在现代半导体产业的研发过程中，特别是在实验室阶段，出于科研成本等因素的考虑，经常会遇到一个问题，即，前面的工艺需要在针对大尺寸(比如300毫米)晶圆的设备上完成，而后续的工艺却需要在针对小尺寸(比如150毫米或更小)晶圆的设备上完成。例如，一些最先进的工艺用深紫外光刻机进行细线条光刻及用最先进的工业化设备进行复杂成分的高精度镀膜等，均需要在针对大尺寸晶圆的最先进设备上完成。但是，这些最先进的工艺与小尺寸的晶圆不兼容，因此难以在小尺寸晶圆上实现这些需求。而后续工艺往往在针对小尺寸晶圆的设备上即可实现并能满足器件研发需要。这就需要将大尺寸的晶圆切割为小尺寸的晶圆，而切割后的小尺寸晶圆能够在相应设备上继续完成后续工艺。也就是说，切割后的小尺寸晶圆要与其相应的设备兼容。

目前市场拥有的晶圆切割方法主要是用锯条的机械切割及用激光的切割方式。机械切割的特点是只能将晶圆按照其特有的晶格方向切割为长方形或者方形的样品。此外，还可以通过激光辅助技术进行晶圆切割，称作隐形切割技术，但是，该技术也只能按照晶圆特有的晶格方向切割出长方形或者方形的样品。只有通过完全激光的方式才可以实现其他形状的晶圆切割。但是，激光完全切割耗时长，成本高，且市场上没有商业化的可以切割大晶圆为小晶圆的成型的激光切割设备。

发明内容

本发明旨在提供了一种半导体晶圆的切割方法。

本发明提供如下技术方案：

一种半导体晶圆的切割方法，包括以下步骤：

(1)提供待切割晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；

(2)在待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；

(3)对待切割晶圆的正面进行一半切割制程；在该已接合晶圆相对于该正面的的背面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的背面进行切割制程，以切割出复数个晶粒。

所述步骤(2)中干法刻蚀工艺的刻蚀液包括硫酸。

所述步骤(2)中承载盘的尺寸大于等于所述待切割晶圆的尺寸。

所述步骤(3)中切割是使用切割刀对该晶圆进行切割之后，再粘贴一胶带于该第一晶圆的表面。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的晶圆切割方法是采双面的切割制程，较之现有的单次切割制程可更精确稳定地切割总体厚度较厚的已接合晶圆结构；同时本发明能够以较低成本实现将大晶圆切割为小晶圆，有利于进一步降低研发成本，满足半导体业界研发中，一部分工艺需要在大尺寸尖端设备上完成，另一部分工艺在小尺寸设备中完成的需求。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一种半导体晶圆的切割方法，包括以下步骤：

(1)提供待切割晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面；

(2)在待切割晶圆上形成目标晶圆尺寸的掩模；将所述形成掩模后的待切割晶圆固定于承载盘上；对所述形成掩模后的待切割晶圆进行干法刻蚀，去除所述待切割晶圆中未被掩模覆盖的部分；

(3)对待切割晶圆的正面进行一半切割制程；在该已接合晶圆相对于该正面的的背面上设置锡球；以及对该已接合晶圆的背面进行切割制程，以切割出复数个晶粒。

所述步骤(2)中干法刻蚀工艺的刻蚀液包括硫酸。

所述步骤(2)中承载盘的尺寸大于等于所述待切割晶圆的尺寸。

所述步骤(3)中切割是使用切割刀对该晶圆进行切割之后，再粘贴一胶带于该第一晶圆的表面。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。