[发明专利]一种半导体晶圆的温度控制方法在审
| 申请号： | 201710879045.4 | 申请日： | 2017-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107785255A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 江富杰;张飞凡 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，包括以下步骤(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5‑10min；(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆的温度控制方法，对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却其特征在于，其特征在于，包括以下步骤：(1)在半导体晶圆降温阶段，根据所进行的工艺种类的不同，将温度降低到高低不同的温度区间并稳定；并且，根据不同工艺种类对氧含量要求的不同，将通入晶圆承载区域的冷却用的气体流量控制在高低不同的范围，同时开启风机，调节风速，使承载区域形成稳定的层流气流，用于进行吹扫和冷却晶圆；(2)维持上述步骤中通入的吹送冷却用的气体流量和风机风速，在承载区域对晶圆继续进行冷却5‑10min；(3)在步骤(2)的冷却时间到达时，经检测晶圆的冷却状态满足取片条件时，开始取片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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