[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201710854279.3 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107767908B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 金珍儿 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 毋二省;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括(部分地)：第一数据I/O块和第二数据I/O块。在写入操作期间，第一数据I/O块将经由第一焊盘供应的输入数据传送第一全局I/O线，并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将写入内部信号传送到第二焊盘。在读取操作期间，第一数据I/O块将数据从第一全局I/O线供应到第一焊盘，并且还产生读取内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将读取内部信号传送到第二焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：第一数据I/O块，所述第一数据I/O块被配置成执行读取操作以将数据从第一全局I/O线供应到第一焊盘，所述第一数据I/O块还被配置成在所述读取操作期间产生读取内部信号；以及第二数据I/O块，所述第二数据I/O块被配置成响应于监控使能信号而将所述读取内部信号传送到第二焊盘。
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