[发明专利]半导体存储器件

说明书

本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括(部分地)：第一数据I/O块和第二数据I/O块。在写入操作期间，第一数据I/O块将经由第一焊盘供应的输入数据传送第一全局I/O线，并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将写入内部信号传送到第二焊盘。在读取操作期间，第一数据I/O块将数据从第一全局I/O线供应到第一焊盘，并且还产生读取内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将读取内部信号传送到第二焊盘。

本申请是申请日为2013年1月24日、申请号为CN 201310027791.2、发明名称为“半导体存储器件”的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的实施例涉及一种半导体存储器件。

背景技术

计算机系统或电子通信系统随着存储容量的增加和这些系统中所使用的半导体存储器件的更低的制造成本而继续进步。具体地，半导体存储器件的高集成密度可以带来半导体存储器件的大容量数据存储。半导体存储器件(例如动态随机存取存储(DRAM)器件)可以被配置成包括沿着行和列排列成彼此相交叉的多个字线和多个位线，并且多个存储器单元可以设置在字线和位线的相应的交叉点处。DRAM器件的每个存储器单元可以被配置成包括单个单元晶体管和单个电容器，并且DRAM器件的存储器单元可以构成一个或更多个存储器单元块。在下文中简要地描述DRAM器件的操作。

如果互补的(例如，反相的)行地址选通(/RAS)信号在激活操作期间被使能，则可以将经由行地址缓冲器供应的行地址信号译码，以执行在单元块中选择一个字线的行译码操作。在这种情况下，如果与选中的字线电连接的存储器单元中的数据被加载到包括位线和互补位线的位线对上，则可以将通知感测放大器操作的时间点的信号使能，以驱动被行地址信号选中的单元块的感测放大器驱动电路。另外，感测放大器的偏置电位可以被感测放大器驱动电路改变成核心电位(Vcore)或接地电位(Vss)，并且感测放大器可以操作。如果感测放大器操作，则可以将位线电位和互补位线电位之间的小电位差放大成具有大电位差。

随后，如果执行读取操作，则可以将由感测放大器放大的至少一个位线数据经由被列地址信号选中并导通的列传送晶体管传送到输入/输出(I/O)线。此外，如果执行写入操作，则可以将经由I/O线供应的数据经由被列地址信号选中并导通的列传送晶体管加载到位线上，并且可以将位线上的数据经由被选中的字线导通的至少一个单元晶体管储存在存储器单元中。

如上所述，半导体存储器件可以在写入模式中操作以将数据储存在存储器单元中，或者在读取操作中操作以读取储存在存储器单元中的数据。当执行写入操作和读取操作时，可以在半导体存储器件中产生多个内部信号。

发明内容

示例性实施例针对一种半导体存储器件。

根据一些实施例，一种半导体存储器件包括：第一数据I/O块和第二数据I/O块。第一数据I/O块执行写入操作以将经由第一焊盘供应的第一输入数据传送到第一全局I/O线，并且还产生写入内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将写入内部信号传送到第二焊盘。

根据另一些实施例，一种半导体存储器件包括：第一数据I/O块和第二数据I/O块。第一数据I/O块执行读取操作，由此将第一全局I/O线上的数据供应到第一焊盘。第一数据I/O块在读取操作期间产生读取内部信号。第二数据I/O块响应于监控使能信号而将读取内部信号传送到第二焊盘。