[发明专利]一种紫外发光二极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710843313.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107731980B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;彭康伟;何安和;林素慧 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外发光二极管结构及其制作方法，具有N型AlGaN层，在N型AlGaN层表面与N型金属电极之间，插入一层金属扩散阻挡薄膜，防止电极金属扩散到N型AlGaN层中，进而破坏电极金属膜层的平整度和金属/半导体有效接触，其制作方法包括通过在N型AlGaN层表面沉积一层金属扩散阻挡薄膜，改善金属与N型AlGaN层的接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管结构，包括：衬底、N型AlGaN层、有源层、P型层、N型金属电极、P型金属电极，其特征在于：所述N型AlGaN层与N型金属电极之间具有金属扩散阻挡薄膜，金属扩散阻挡薄膜直接与N型AlGaN层接触，金属扩散阻挡薄膜阻挡N型金属电极原子迁移到N型AlGaN层。/n
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