[发明专利]一种紫外发光二极管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710843313.7 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107731980B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 臧雅姝;彭康伟;何安和;林素慧 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种紫外发光二极管结构，包括：衬底、N型AlGaN层、有源层、P型层、N型金属电极、P型金属电极，其特征在于：所述N型AlGaN层与N型金属电极之间具有金属扩散阻挡薄膜，金属扩散阻挡薄膜直接与N型AlGaN层接触，金属扩散阻挡薄膜阻挡N型金属电极原子迁移到N型AlGaN层。
2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管结构，其特征在于：所述金属扩散阻挡薄膜材料包括TiN、SiNx。
3.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管结构，其特征在于：所述金属扩散阻挡薄膜的厚度不大于5nm。
4.根据权利要求2所述的一种紫外发光二极管结构，其特征在于：所述N型金属电极与金属扩散阻挡薄膜接触部分的N型金属电极材料包含金属Ti。
5.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管结构，其特征在于：所述金属扩散阻挡薄膜的上表面面积不小于N型金属电极的下表面面积。
6.一种紫外发光二极管的制作方法，包括步骤：
（1）提供AlGaN基紫外发光二极管外延片，外延片包括：N型AlGaN层、有源层和P型层；
（2）在N型AlGaN层表面，制作出N型AlGaN窗口；
（3）在N型AlGaN窗口制作金属扩散阻挡薄膜, 金属扩散阻挡薄膜直接与N型AlGaN层接触；
（4）在金属扩散阻挡薄膜上制作N型金属电极；
其特征在于：金属扩散阻挡薄膜阻挡N型金属电极原子迁移到N型AlGaN层。
7.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属扩散阻挡薄膜材料包括TiN或SiNx。
8.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属扩散阻挡薄膜的厚度不大于5nm。
9.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤（3）通过PECVD或ALD原子沉积的方法制作金属扩散阻挡薄膜。
10.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤（4）制作至少一层的N型金属电极，N型金属电极第一层制作材料为Ti。
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