[发明专利]具有自对准体区的LDMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710842708.5 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN107742645A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 乔伊·迈克格雷格;肖德明;姚泽强;吉杨永;郑志星 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/308;H01L21/266 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种LDMOS器件的制造方法，包括形成半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；在介质层上形成导电层；在导电层上形成第一光刻胶层；通过第一掩膜对第一光刻胶层进行刻印，以形成第一开口；通过第一开口对导电层进行刻蚀；通过第一开口向半导体衬底中注入具有第一掺杂类型的杂质，以形成靠近半导体衬底上表面的第一体区和位于第一体区之下的第二体区；去除第一光刻胶层；以及使用第二光刻胶层和第二掩膜对导电层进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 ldmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件的制造方法，包括：形成半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；在介质层上形成导电层；在导电层上形成第一光刻胶层；通过第一掩膜对第一光刻胶层进行刻印，以形成第一开口；通过第一开口对导电层进行刻蚀；通过第一开口向半导体衬底中注入具有第一掺杂类型的杂质，以形成靠近半导体衬底上表面的第一体区和位于第一体区之下的第二体区；去除第一光刻胶层；以及使用第二光刻胶层和第二掩膜对导电层进行刻蚀。
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