[发明专利]用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺

摘要

本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。

主权项

一种处理基板的方法，所述方法包含以下步骤：使基板暴露于第一溶剂，以去除位于所述基板的表面上的一数量的残余清洁溶液，其中所述基板上形成有高深宽比的特征；使所述基板暴露于第二溶剂，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第一溶剂；以及使所述基板暴露于超临界流体，以去除位于所述基板的所述表面上的所述第二溶剂，其中使所述基板暴露于所述超临界流体包括：将处于液态的气体输送到位于第一处理腔室的处理空间中的所述基板的表面，以去除位于所述基板的所述表面上的至少一部分所述第二溶剂；使位于所述处理空间内的所述气体由所述液态相变为超临界态；以及使位于所述处理空间中的所述气体由所述超临界态等温减压为气态。