[发明专利]氧化铝/二氧化硅双层栅极柔性薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201710837803.6 | 申请日： | 2017-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN107611173A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 秦国轩;张一波;赵政;党孟娇;王亚楠 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300192*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种氧化铝/二氧化硅双层栅极柔性薄膜晶体管及制备方法，有由下至上依次设置的柔性PET衬底、ITO导电薄膜、二氧化硅底层栅介质层和硅纳米膜，硅纳米膜上端面分别设置有顶层栅极介质层氧化铝、源极金属和漏极金属，顶层栅极介质层氧化铝的上端面设置有栅极金属，硅纳米膜内对应源极金属嵌入有源掺杂区，硅纳米膜内对应漏极金属嵌入有漏掺杂区。制备方法在ITO导电薄膜上采用磁控溅射的方法涂上一层SiO2介质层作为底部栅氧层，在转移之后的薄膜硅掺杂区上涂一层Al2O3作为顶部栅氧层。通过掩膜版层层光刻在SOI上转移下来的硅纳米膜上制备栅极与金属电极，本发明实现一个较高频率下工作以及栅极较高控制能力的双层栅极晶体管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 二氧化硅 双层 栅极 柔性 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铝/二氧化硅双层栅极柔性薄膜晶体管，包括柔性PET衬底(1)和设置在所述柔性PET衬底(1)上端面的ITO导电薄膜(2)，其特征在于，所述ITO导电薄膜(2)上端面设置有二氧化硅底层栅介质层(10)，所述二氧化硅底层栅介质层(10)上端面设置有硅纳米膜(3)，所述硅纳米膜(3)上端面分别设置有：位于中部的顶层栅极介质层氧化铝(7)，位于顶层栅极介质层氧化铝(7)的一侧的源极金属(4)，以及位于顶层栅极介质层氧化铝(7)另一侧的漏极金属(9)，所述顶层栅极介质层氧化铝(7)的上端面设置有栅极金属(6)，所述硅纳米膜(3)内对应所述的源极金属(4)嵌入有源掺杂区(5)，所述硅纳米膜(3)内对应所述的漏极金属(9)嵌入有漏掺杂区(8)。
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