[发明专利]电容器阵列结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种电容器阵列结构及其制造方法，包括如下步骤1）提供一半导体衬底；2）于半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层，牺牲层包括交替叠置的第一材料层及第二材料层，第一材料层与第二材料层在同一刻蚀制程中具有不同的刻蚀速率；3）于步骤2）得到的结构的上表面形成具有开孔的图形化掩膜层；4）在支撑层及牺牲层内形成侧壁呈波纹状或矩形齿状的电容孔；5）于电容孔内形成下电极层；6）去除牺牲层；7）于下电极层的内表面及外表面形成电容介质层；8）于电容介质层的外表面形成上电极层。本发明可以制备出表面轮廓呈波纹状或矩形齿状的下电极板、电容介质层及上电极板，在不增加电容器高度的情况下，可以显着增加电容。

主权项

一种电容器阵列结构的制造方法，其特征在于，所述电容器阵列结构的制造方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘；2)于所述半导体衬底的上表面形成交替叠置的牺牲层及支撑层，其中，所述牺牲层包括交替叠置的第一材料层及第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层在同一刻蚀制程中具有不同的刻蚀速率；3)于步骤2)得到的结构的上表面形成具有开孔的图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内的开孔定义出后需要形成的电容孔的位置及形状；4)依据所述图形化掩膜层刻蚀所述支撑层及所述牺牲层，以在所述支撑层及所述牺牲层内形成侧壁呈波纹状或矩形齿状的电容孔，所述电容孔暴露出所述焊盘；5)于所述电容孔内形成下电极层；6)去除所述牺牲层；7)于所述下电极层的内表面及外表面形成覆盖所述下电极层的电容介质层；及8)于所述电容介质层的外表面形成覆盖所述电容介质层的上电极层。